Samsung-ov eUFS 3.0 čip je od prethodnika više nego dvostruko brži


Samsung je na službenim internet stranicama objavio kako je pokrenuo masovnu proizvodnju prvog industrijskog flash čipa kapaciteta 512 GB. Novi eUFS 3.0 čip odlikuje se između ostalog i više nego dvostruko većom brzinom čitanja i zapisivanja podataka u odnosu na prethodni model.

Prvi takav čip Samsung je predstavio još 2017. godine, podatke je čitao brzinom od 860 MB/s dok je nove zapisivao pri 255 MB/s. Novi model po pitanju brzine osetno je prešao svog prethodnika, novi model podatke čita brzinom od 2.100 MB/s, a zapisuje ih brzinom od 410 MB/s.



Proizvođač navodi kako ovo skladišno rešenje za čuvanje podataka koristi petu generaciju V-NAND memorije i kako brzinom nadmašuje microSD kartice i do 20 puta, a standardne SATA SSD-ove četiri puta. Samsung ovaj čip vidi u budućim telefonima koji će imati dugačke ekrane ultra visoke rezolucije.

Za sada će biti dostupni 128 GB i 512 GB modeli, dok su za drugu polovinu godine Samsung ima u planu i modele od 256 GB i 1 TB.

Podeli
Pošalji
Podeli
Podeli
Pošalji
Pošalji

Komentariši! Budi prvi i započni diskusiju!
Broj komentara:
0

Postavi komentar

Vaš komentar:

 
Početna      Impressum      Pravila komentarisanja      Marketing      Kontakt
 

 
© 2009-2019 IT vesti - Sva prava zadržana. Zabranjeno je svako kopiranje sadržaja sajta bez pismene dozvole.