Galijum-arsenid zamena za silicijum?

ISTRAŽIVAČI SA UNIVERZITETA AMERIČKE države Ilinoj razvijaju zamenu za silicijum. Najbolji kandidat trenutno je galijum-arsenid (GaAs), skup ali vrlo efikasan poluprovodnik koji bi trebao da bude osnova jeftinijih uređaja uključujući solarne ćelije i infracrvene kamere. Pored toga, galenijum-arsenid može ubrzati računarske čipove.

Najvažnija komponenta elektronskih uređaja je čip koji upravlja njihovim radom, a osnovu čipa čini silicijumska podloga, odnosno tanko parče poluprovodnika koje se koristi pri izradi komplikovanih električnih kola. Podloge se najčešće prave od silicijuma čistoće 99,999% i imaju skoro savršenu strukturu kristala. Problem sa silicijumom je što lako puca ako je previše tanak. Zbog toga se kod podloga većeg prečnika mora povećati i njihova debljina, što uvećava troškove proizvodnje čipova. Pošto se podloge seku pomoću fine žice moguća je pojava sitnih nesavršenosti koje se kasnije tretiraju hemijskim putem, što takođe uvećava troškove.

Pomenuti istraživači su zato osmislili tehniku kojom slojeve tankog filma poluprovodnika formiraju direktno na podlozi, a zatim ih smeštaju na jeftiniju podlogu, tj. bazu, čija debljina iznosi od nekoliko stotina nanometara do nekoliko mikrometara. Na taj način se dobija tanji materijal koji je jeftiniji, ali i efikasniji za izradu čipova.

Koristeći ovu tehniku naučnici su uspešno izradili tranzistore, solarne ćelije i infracrvene kamere. Nova tehnika može biti primenjena i za izradu računarskih čipova, što će sniziti njihovu cenu i povećati brzinu računara. (I.S.)

Izvor: www.mikro.rs

Podeli
Pošalji
Podeli
Podeli
Pošalji
Pošalji

Komentariši! Budi prvi i započni diskusiju!
Broj komentara:
0

Postavi komentar

Vaš komentar:

 
Početna      Impressum      Pravila komentarisanja      Marketing      Kontakt
 

 
© 2009-2021 IT vesti - Sva prava zadržana. Zabranjeno je svako kopiranje sadržaja sajta bez pismene dozvole.