NAUČNICI KOMPANIJE HJULET-PAKARD (Hewlett-Packard, HP) napravili su još jedan važan prodor u razvoju memorija sledeće generacije na bazi memristora, koje neki vide kao potencijalnu zamenu za današnje široko korišćene tehnologije fleš (Flash) memorija i dinamičkih memorija s nasumičnim pristupom (DRAM).
U radu objavljenom u ponedeljak u časopisu Nanotechnology objavili su da su otkrili šta se tačno dešava u memristoru u toku njegovog električnog rada.
Iako su u laboratorijama izrađivani memristori koji rade, naučnici nisu tačno znali šta se dešava unutar njihovih sićušnih struktura. Mada je HP već uveren da će moći da komercijalizuje tu tehnologiju, ovo otkriće će mu omogućiti da značajno unapredi performanse memristora.
Memristore je prvi put opisao profesor kalifornijskog univerziteta u Berkliju, Leon Čua, još 1971. godine. Pre toga se znalo za tri osnovna (pasivna) elementa električnih kola – otpornik (rezistor, R), kondenzator (C) i kalem (L), a Čua je predložio i četvrti koji je nazvao memristor (M), što je kovanica od reči memorija i rezistor.
Nekoliko decenija kasnije (2008) HP je potvrdio njihovo postojanje i pokazao da se mogu napraviti tako da se prebacuju između dva ili više nivoa električne otpornosti, što im omogućava da predstavljaju jedinice i nule u digitalnim računarima.
Naučnici su znali da se to prebacivanje dešava ali im nije bilo lako da ga prouče, jer su memristori veoma mali. HP-ov najnoviji prodor je rezultat korišćenja visoko fokusiranih iks-zraka usmerenih na kanalić širok svega 100 nanometra u kome se odigrava to prebacivanje iz jednog stanja u drugo.
Potom su uspeli da prouče hemiju i strukturu tog kanala i tako dobili jasniji uvid u to kako memristori rade. Rad su zajedno objavili HP i kalifornijski univerzitet iz Santa Barbare.
Memorija koja se može napraviti s memristorima naziva se skraćeno ReRAM i za razliku od dinamičkih (DRAM) memorija trajnog je tipa, jer se upisani podaci ne gube kad joj se isključi napajanje.
Postoje realna očekivanja da bi HP svoju memristorsku tehnologiju mogao učiniti komercijalnom do sredine 2013. godine. Uzorci memorija koje je napravio u svojim laboratorijama pokazuju da su moguće gustine od 12 gigabajta po kvadratnom centimetru ukoliko se koristi 15-nanometarski proizvodni proces sa više slojeva memorijskih ćelija naslaganih jedan na drugi.
Memristori su tek jedna od nekoliko vrsta memorija koje se razvijaju kao potencijalne zamene za fleš i DRAM. Pošto memorijske ćelije sa svakom novom generacijom proizvodnog postupka postaju sve manje, sve su bliže fizičkim granicama koje otežavaju da se postignu još veće gustine smeštanja podataka.
Fleš memorije će verovatno prve dostići tu granicu i smatra se da im je preostala još jedna tehnološka generacija, ili možda dve, odnosno u najboljem slučaju četiri godine, dok je DRAM memorijama preostalo par generacija više. Proizvođači memorija mogu te generacije eventualno držati u igri malo duže od ustaljenih godinu i po do dve, koliko danas normalno traje jedna generacija.
Pomeuti naučni rad objavljen je ovde. (MV.)
Izvor: www.mikro.rs
U radu objavljenom u ponedeljak u časopisu Nanotechnology objavili su da su otkrili šta se tačno dešava u memristoru u toku njegovog električnog rada.
Iako su u laboratorijama izrađivani memristori koji rade, naučnici nisu tačno znali šta se dešava unutar njihovih sićušnih struktura. Mada je HP već uveren da će moći da komercijalizuje tu tehnologiju, ovo otkriće će mu omogućiti da značajno unapredi performanse memristora.
Memristore je prvi put opisao profesor kalifornijskog univerziteta u Berkliju, Leon Čua, još 1971. godine. Pre toga se znalo za tri osnovna (pasivna) elementa električnih kola – otpornik (rezistor, R), kondenzator (C) i kalem (L), a Čua je predložio i četvrti koji je nazvao memristor (M), što je kovanica od reči memorija i rezistor.
Nekoliko decenija kasnije (2008) HP je potvrdio njihovo postojanje i pokazao da se mogu napraviti tako da se prebacuju između dva ili više nivoa električne otpornosti, što im omogućava da predstavljaju jedinice i nule u digitalnim računarima.
Naučnici su znali da se to prebacivanje dešava ali im nije bilo lako da ga prouče, jer su memristori veoma mali. HP-ov najnoviji prodor je rezultat korišćenja visoko fokusiranih iks-zraka usmerenih na kanalić širok svega 100 nanometra u kome se odigrava to prebacivanje iz jednog stanja u drugo.
Potom su uspeli da prouče hemiju i strukturu tog kanala i tako dobili jasniji uvid u to kako memristori rade. Rad su zajedno objavili HP i kalifornijski univerzitet iz Santa Barbare.
Memorija koja se može napraviti s memristorima naziva se skraćeno ReRAM i za razliku od dinamičkih (DRAM) memorija trajnog je tipa, jer se upisani podaci ne gube kad joj se isključi napajanje.
Postoje realna očekivanja da bi HP svoju memristorsku tehnologiju mogao učiniti komercijalnom do sredine 2013. godine. Uzorci memorija koje je napravio u svojim laboratorijama pokazuju da su moguće gustine od 12 gigabajta po kvadratnom centimetru ukoliko se koristi 15-nanometarski proizvodni proces sa više slojeva memorijskih ćelija naslaganih jedan na drugi.
Memristori su tek jedna od nekoliko vrsta memorija koje se razvijaju kao potencijalne zamene za fleš i DRAM. Pošto memorijske ćelije sa svakom novom generacijom proizvodnog postupka postaju sve manje, sve su bliže fizičkim granicama koje otežavaju da se postignu još veće gustine smeštanja podataka.
Fleš memorije će verovatno prve dostići tu granicu i smatra se da im je preostala još jedna tehnološka generacija, ili možda dve, odnosno u najboljem slučaju četiri godine, dok je DRAM memorijama preostalo par generacija više. Proizvođači memorija mogu te generacije eventualno držati u igri malo duže od ustaljenih godinu i po do dve, koliko danas normalno traje jedna generacija.
Pomeuti naučni rad objavljen je ovde. (MV.)
Izvor: www.mikro.rs
Postavi komentar
Vaš komentar: