IGZO tranzistori za oštrije ekrane

Sharp je na sajmu u Tokiju demonstrirao prototip LCD ekrana rađenog u CAAC-IGZO tehnologiji. Ovakvi ekrani bi uskoro mogli da nađu svoju primenu u mobilnim uređajima, a Sharp je tehnologiju CAAC-IGZO (C-axis aligned crystal Indium gallium zinc oxide) razvijao u saradnji sa istraživačkom kompanijom Semiconductor Energy Laboratory.

U odnosu na standardne amorfne IGZO poluvodiče, CAAC-IGZO tehnologija nudi bolja električna svojstva i omogućava stvaranje manjih tranzistora niže potrošnje energije te proizvodnju ekrana visoke rezolucije.

Demonstrirani prototip LCD ekrana ima dijagonalu od 6,1 inča i rezoluciju 2.560x1.600 tačaka, odnosno gustoću od 498 ppi. Osim vrhunskih specifikacija, ova tehnologija ima i manje električne smetnje kada se koristi u kombinaciji sa senzorom dodira (kod ekrana osetljivih na dodir), a omogućava i proizvodnju ekrana sa tanjim okvirom.

Masovna proizvodnja ekrana rađenih u tehnologiji CAAC-IGZO trebala bi da započne već ove godine, a priča se da će IGZO ekrane među prvima koristiti Apple u novoj generaciji uređaja. Osim navedenog LCD-a, Sharp je pokazao i OLED ekrane sa CAAC-IGZO tranzistorima, među kojima su 13,5-inčna verzija rezolucije 3.840x2.160 tačaka za prenosnike i 3,4-inčna verzija sa 540x960 točaka.

Kategorija: Trendovi