Galaxy S12 mogao bi da ima 3nm Exynos čip


Samsung je na ovogodišnjem Samsung Foundry Forum 2019 događaju deo vremena posvetio i budućim procesorima koji će se u sledećim godinama naći u njegovim mobilnim uređajima. Glavna odlika biće im znatno manje dimenzije, veće performanse i osetno manja potrošnja energije.

Novi čipovi će biti proizvedeni u 3-nanometarskom procesu naziva Gate All Around – GAA. Osim što će novi čip biti za 45% manji od aktuelnih 7-nanometarskih čipova, biće ujedno i 35% brži te 50% štedljiviji po pitanju potrošnje baterije.

Samsung navodi kako je po pitanju proizvodnje čipova u 3-nanometraskom procesu ispred konkurencije, tačnije oko 12 meseci ispred TSMC-a i oko dve do tri godine ispred Intel-a. Novi čip koristiće se u različitim mobilnim uređajima, uključujući telefone i tablete.

Samsung navodi kako će 3-nanometarski čip biti testiran tokom sledeće, 2020. godine, dok bi u masovnu proizvodnju trebao da krene 2021. godine. Dodatna poboljšanja uključujući i AI čipove za dana centre uslediće godinu dana kasnije – 2022. Ako sve prođe u najboljem redu, realno je za očekivati kako će i Galaxy S12 serija biti opremljena 3-nanometarskim čipom.

Osim većih performansi, uređaji temeljeni na ovom čipu mogli bi da budu i tanji, a zadržati autonomiju uređaja u rangu sa aktuelnom serijom, Galaxy S10. Naravno, ako bi Samsung odlučio zadržati postojeću debljinu uređaja i za buduće modele, to bi mu omogućilo povećavanje autonomije uređaja za već spomenutih 50%.

Podeli
Pošalji
Podeli
Podeli
Pošalji
Pošalji

Komentariši! Budi prvi i započni diskusiju!
Broj komentara:
0

Postavi komentar

Vaš komentar:

 
Početna      Impressum      Pravila komentarisanja      Marketing      Kontakt
 

 
© 2009-2019 IT vesti - Sva prava zadržana. Zabranjeno je svako kopiranje sadržaja sajta bez pismene dozvole.